2SK2221-E

מספר מוצר של יצרן:

2SK2221-E

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

2SK2221-E-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12858514

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

2SK2221-E מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Renesas Electronics Corporation

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

-

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

-

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

600 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

100W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-3P

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

מספר מוצר בסיסי

2SK2221

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

1

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTGS4141NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

renesas-electronics-america

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

onsemi

NTMFS4C10NT1G-001

MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN

vishay-siliconix

IRF610SPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK