מספר מוצר של יצרן:
2SJ162-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2SJ162-E-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
תיאור מפורט:
P-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12861218
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SJ162-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
160 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HAT2287WP-EL-E
MOSFET N-CH 200V 17A 8WPAK
HAT2197R-EL-E
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
IXFX24N100F
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
