מספר מוצר של יצרן:
HAT2287WP-EL-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
HAT2287WP-EL-E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 17A 8WPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
מלאי:
12861224
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HAT2287WP-EL-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
94mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-WPAK (3)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
HAT2287
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMS2672
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1825
DiGi מספר חלק
FDMS2672-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HAT2197R-EL-E
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
IXFX24N100F
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
NP109N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
