מספר מוצר של יצרן:

SI3442DV

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

SI3442DV-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12857705

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SI3442DV מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.1A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

14 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

365 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SuperSOT™-6

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

מספר מוצר בסיסי

SI344

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

FDC653N

יצרן

Fairchild Semiconductor

כמות זמינה

2505

DiGi מספר חלק

FDC653N-DG

מחיר ליחידה

0.23

סוג משאב

Similar

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTB65N02RT4G

MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

onsemi

NVATS5A112PLZT4G

MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK

renesas-electronics-america

NP82N04PDG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO263

onsemi

NTD2955PT4G

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK