מספר מוצר של יצרן:
NVATS5A112PLZT4G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVATS5A112PLZT4G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 27A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount DPAK/ATPAK
מלאי:
12857707
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVATS5A112PLZT4G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
43mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.6V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1450 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
48W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK/ATPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
NVATS5
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NVATS5A112PLZT4G-DG
ONSONSNVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4GOSCT
2156-NVATS5A112PLZT4G-OS
NVATS5A112PLZT4GOSDKR
NVATS5A112PLZT4GOSTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NVD5117PLT4G-VF01
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NVD5117PLT4G-VF01-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TSM680P06CH X0G
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
8799
DiGi מספר חלק
TSM680P06CH X0G-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
NTD2955PT4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
NTTFS4965NFTAG
MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
