NVD5117PLT4G-VF01

מספר מוצר של יצרן:

NVD5117PLT4G-VF01

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NVD5117PLT4G-VF01-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

תיאור מפורט:

P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12857770

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NVD5117PLT4G-VF01 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

11A (Ta), 61A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

16mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

85 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4800 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

4.1W (Ta), 118W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DPAK

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

NVD5117

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

NVD5117PLT4G-VF01

גיליון נתונים של HTML

NVD5117PLT4G-VF01-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

NVD5117PLT4G-VF01TR

NVD5117PLT4G-VF01DKR

2832-NVD5117PLT4G-VF01TR

NVD5117PLT4G-VF01CT

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTD5865NL-1G

MOSFET N-CH 60V 46A IPAK

onsemi

NTMFD4C50NT1G

MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL

onsemi

NTTFS002N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN

onsemi

NTMFS4C03NT3G

MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN