מספר מוצר של יצרן:
RFP2N10L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
RFP2N10L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12856704
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RFP2N10L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
RFP2N
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RFP12N10L
יצרן
onsemi
כמות זמינה
4251
DiGi מספר חלק
RFP12N10L-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
NDS0610_NL
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3
NTMFS5844NLT1G
MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
