NVMD6N04R2G

מספר מוצר של יצרן:

NVMD6N04R2G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NVMD6N04R2G-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

תיאור מפורט:

Mosfet Array 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12844383

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NVMD6N04R2G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.6A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

30nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

900pF @ 32V

הספק - מקס'

1.29W

טמפרטורת פעולה

-

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

מספר מוצר בסיסי

NVMD6

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

NTMD6N04, NVMD6N04

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

NVMD6N04R2GOSCT

NVMD6N04R2GOSDKR

NVMD6N04R2GOSTR

NVMD6N04R2G-DG

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTLJD4116NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN

alpha-and-omega-semiconductor

AO4800

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

onsemi

NTJD4105CT4G

MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88

AON6884L

MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN