מספר מוצר של יצרן:
NTLJD4116NT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTLJD4116NT1G-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 2.5A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
מלאי:
9844 יחידות חדשות מק originales במלאי
12844396
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTLJD4116NT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.5nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
427pF @ 15V
הספק - מקס'
710mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-WDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
6-WDFN (2x2)
מספר מוצר בסיסי
NTLJD41
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTLJD4116NT1G-DG
488-NTLJD4116NT1GTR
ONSONSNTLJD4116NT1G
2156-NTLJD4116NT1G-OS
488-NTLJD4116NT1GCT
488-NTLJD4116NT1GDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AO4800
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
NTJD4105CT4G
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
AON6884L
MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
