מספר מוצר של יצרן:
NVMD6N03R2G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMD6N03R2G-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12847844
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMD6N03R2G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
950pF @ 24V
הספק - מקס'
1.29W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
NVMD6
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTLJD3183CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
FDMA1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET