מספר מוצר של יצרן:
FDS6912A
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6912A-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
6968 יחידות חדשות מק originales במלאי
12849585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6912A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.1nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
575pF @ 15V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS69
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDS6912A-OS
FAIFSCFDS6912A
FDS6912ATR
FDS6912ADKR
FDS6912ACT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AON7611
MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
FW4604-TL-2W
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
AO4852
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
