מספר מוצר של יצרן:
NTMFS5H419NLT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMFS5H419NLT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 155A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
12846972
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMFS5H419NLT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Ta), 155A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2900 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NTMFS5
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NTMFS5H419NLT1G-DG
NTMFS5H419NLT1GOSTR
2832-NTMFS5H419NLT1GTR
NTMFS5H419NLT1GOSCT
NTMFS5H419NLT1GOSDKR
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCH125N60E
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
FDMS86252L
MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
FCP20N60_F080
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
