מספר מוצר של יצרן:
FDMS86252L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS86252L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
8040 יחידות חדשות מק originales במלאי
12846976
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS86252L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
56mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1335 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMS86252
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMS86252LCT
ONSONSFDMS86252L
2832-FDMS86252L
FDMS86252LTR
FDMS86252LDKR
2156-FDMS86252L-OS
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCP20N60_F080
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
ISL9N303AS3ST
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IRFS450B
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF