מספר מוצר של יצרן:
NTMFS5113PLT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMFS5113PLT1G-DG
תיאור:
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
12856981
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMFS5113PLT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta), 64A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NTMFS5113
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NTMFS5113PLT1GTR
488-NTMFS5113PLT1GCT
488-NTMFS5113PLT1GDKR
NTMFS5113PLT1G-DG
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS1L151ATTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
10780
DiGi מספר חלק
RS1L151ATTB1-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NVMFS5113PLT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
8321
DiGi מספר חלק
NVMFS5113PLT1G-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
NVMFS5113PLWFT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
880
DiGi מספר חלק
NVMFS5113PLWFT1G-DG
מחיר ליחידה
1.18
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RJK0855DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
RFD3055
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
SI4410DY
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
