NTHD3100CT3

מספר מוצר של יצרן:

NTHD3100CT3

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTHD3100CT3-DG

תיאור:

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

תיאור מפורט:

Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12856477

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTHD3100CT3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

N and P-Channel

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.9A, 3.2A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

2.3nC @ 4.5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

165pF @ 10V

הספק - מקס'

1.1W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SMD, Flat Lead

חבילת מכשירים לספקים

ChipFET™

מספר מוצר בסיסי

NTHD3100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

10,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

3 (168 Hours)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

NTHD3100CT1G

יצרן

onsemi

כמות זמינה

5410

DiGi מספר חלק

NTHD3100CT1G-DG

מחיר ליחידה

0.34

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NDS9952A

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC

onsemi

NTQD6866R2

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

onsemi

NTMD2P01R2G

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

onsemi

NTGD3148NT1G

MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP