מספר מוצר של יצרן:
NTH4L040N65S3F
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTH4L040N65S3F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 65A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-4L
מלאי:
340 יחידות חדשות מק originales במלאי
12856687
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTH4L040N65S3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
FRFET®, SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
65A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
158 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5940 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
446W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4L
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
NTH4L040
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
1990-NTH4L040N65S3F
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTH4L040N65S3F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
340
DiGi מספר חלק
NTH4L040N65S3F-DG
מחיר ליחידה
11.05
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NDS7002A_NB9GGTXA
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
NTP60N06G
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB