מספר מוצר של יצרן:
NTD3055L170-1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTD3055L170-1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Through Hole I-PAK
מלאי:
12858682
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTD3055L170-1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
275 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
NTD30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
=NTD3055L170
2156-NTD3055L170-1G-ON
ONSONSNTD3055L170-1G
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTD3055L104T4G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NTD3055L104T4G-DG
מחיר ליחידה
0.35
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTS4101PT1
MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
IPD50N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
NTD4813NH-1G
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
