NTD4813NH-1G

מספר מוצר של יצרן:

NTD4813NH-1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTD4813NH-1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 7.6A (Ta), 40A (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Through Hole I-PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12858690

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTD4813NH-1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

7.6A (Ta), 40A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

10 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

940 pF @ 12 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.27W (Ta), 35.3W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I-PAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

NTD48

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTD4813NH-1G-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTMFS4983NFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

SBVS138LT1G

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23

onsemi

NVD3055L170T4G-VF01

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

onsemi

NTD18N06T4G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK