מספר מוצר של יצרן:
IRLS630A
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLS630A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12839528
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLS630A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 3.25A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
755 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
36W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRLS63
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRLI630GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
991
DiGi מספר חלק
IRLI630GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
62-0218PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
2SK302200L
MOSFET N-CH 60V 5A U-G2
HUFA76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
