מספר מוצר של יצרן:
IRLI630GPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLI630GPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 6.2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
991 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914080
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLI630GPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRLI630
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRLI630GPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4894BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SI4425BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
SI4401DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
