מספר מוצר של יצרן:
HUF75639S3
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
HUF75639S3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
800 יחידות חדשות מק originales במלאי
12851335
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HUF75639S3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
UltraFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
56A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 20 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
HUF75639
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-HUF75639S3-488
2832-HUF75639S3
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUF75631S3S
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
R6509KNJTL
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
FCH070N60E
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
