R6509KNJTL
מספר מוצר של יצרן:

R6509KNJTL

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

R6509KNJTL-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS

מלאי:

87 יחידות חדשות מק originales במלאי
12851343
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

R6509KNJTL מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 230µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
540 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
94W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LPTS
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
R6509

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
846-R6509KNJTLDKR
846-R6509KNJTLTR
846-R6509KNJTLCT
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
STB13NK60ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
757
DiGi מספר חלק
STB13NK60ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.79
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FCH070N60E

MOSFET N-CH 600V 52A TO247

onsemi

FDZ201N

MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA

onsemi

BSS138L

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

onsemi

IRLM210ATF

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4