מספר מוצר של יצרן:
FQP5N20
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQP5N20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12849341
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQP5N20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
270 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FQP5
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF620PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
322
DiGi מספר חלק
IRF620PBF-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
FDS3572
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
