מספר מוצר של יצרן:
IRF620PBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF620PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
322 יחידות חדשות מק originales במלאי
12910771
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF620PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
260 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF620
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF620PBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP300N04T2
MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB
IRF9Z24STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
IRL640PBF
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
