מספר מוצר של יצרן:
FQI4N90TU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQI4N90TU-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
12848946
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQI4N90TU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
FQI4N90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQI4N90TU-OS
ONSONSFQI4N90TU
2832-FQI4N90TU
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B