בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
FDD8870
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD8870-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
3613 יחידות חדשות מק originales במלאי
12848947
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD8870 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Ta), 160A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
118 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5160 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD887
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
FDD8870
גיליון נתונים של HTML
FDD8870-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
FDD8870FSDKR
FDD8870-DG
FDD8870FSCT
FDD8870FSTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PJD85N03_L2_00001
יצרן
Panjit International Inc.
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
PJD85N03_L2_00001-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD150N3LLH6
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
5
DiGi מספר חלק
STD150N3LLH6-DG
מחיר ליחידה
1.91
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB155N3LH6
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB155N3LH6-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPD031N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4331
DiGi מספר חלק
IPD031N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
Similar
מספר חלק
AOD514
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
13006
DiGi מספר חלק
AOD514-DG
מחיר ליחידה
0.13
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
HUF75617D3S
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
AOTF2918L
MOSFET N-CH 100V 13A/58A TO220F