מספר מוצר של יצרן:

FQI11N40TU

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FQI11N40TU-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12848201

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FQI11N40TU מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

400 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

11.4A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

480mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

35 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1400 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I2PAK

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

מספר מוצר בסיסי

FQI1

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB

onsemi

FQP18N20V2

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

onsemi

BS107G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3