BS107G

מספר מוצר של יצרן:

BS107G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

BS107G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12848208

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

BS107G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

250mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 1mA

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

60 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

350mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-92 (TO-226)

חבילה / מארז

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

מספר מוצר בסיסי

BS107

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

BS107GOS

BS107G-DG

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AOUS66616

MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8

FDC604P

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

alpha-and-omega-semiconductor

AOW11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO262

onsemi

HUF75343S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK