מספר מוצר של יצרן:
FQD1N60TF
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD1N60TF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12838015
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD1N60TF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FQD1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD1NK60T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
7455
DiGi מספר חלק
STD1NK60T4-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF9N08
MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
FQA24N60
MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
FCP165N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
