מספר מוצר של יצרן:
FCP165N65S3R0
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP165N65S3R0-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12838028
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP165N65S3R0 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
154W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP165
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCP165N65S3R0-488
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPP20N60C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
6171
DiGi מספר חלק
SPP20N60C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.45
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP28N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1020
DiGi מספר חלק
STP28N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP165N65S3
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FCP165N65S3-DG
מחיר ליחידה
1.68
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
FCH165N65S3R0-F155
יצרן
onsemi
כמות זמינה
444
DiGi מספר חלק
FCH165N65S3R0-F155-DG
מחיר ליחידה
2.80
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SIHP22N60AE-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHP22N60AE-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.72
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDZ204P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
