בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
FQB8N60CTM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB8N60CTM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12836193
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB8N60CTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1255 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB8N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
FQB8N60C, FQI8N60C
גיליונות נתונים
FQB8N60CTM
גיליון נתונים של HTML
FQB8N60CTM-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
FQB8N60CTM-DG
FQB8N60CTMFSDKR
FQB8N60CTMFSTR
FQB8N60CTMFSCT
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB8NM60D
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2874
DiGi מספר חלק
STB8NM60D-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB6N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
11994
DiGi מספר חלק
STB6N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6004ENJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6004ENJTL-DG
מחיר ליחידה
0.49
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCB260N65S3
יצרן
onsemi
כמות זמינה
6
DiGi מספר חלק
FCB260N65S3-DG
מחיר ליחידה
1.40
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFBC40ASTRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
600
DiGi מספר חלק
IRFBC40ASTRLPBF-DG
מחיר ליחידה
1.96
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ATP301-TL-H
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
5HN01M-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
FDMC007N08LCDC
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
BSC015NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON