מספר מוצר של יצרן:
FCB260N65S3
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCB260N65S3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
6 יחידות חדשות מק originales במלאי
12846420
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCB260N65S3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1010 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
90W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FCB260
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FCB260N65S3TR
488-FCB260N65S3CT
488-FCB260N65S3DKR
FCB260N65S3-DG
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB18N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB18N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.32
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB60R280P7ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1086
DiGi מספר חלק
IPB60R280P7ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB20NM60D
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB20NM60D-DG
מחיר ליחידה
3.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6015KNJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2982
DiGi מספר חלק
R6015KNJTL-DG
מחיר ליחידה
1.13
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
FDFS2P106A
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
FDB42AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
