מספר מוצר של יצרן:
FQB12N50TM_AM002
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB12N50TM_AM002-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12836898
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB12N50TM_AM002 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
51 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2020 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB1
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFS11N50APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
417
DiGi מספר חלק
IRFS11N50APBF-DG
מחיר ליחידה
1.22
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDP054N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
FDS6680A
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDMS8320LDC
MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
