מספר מוצר של יצרן:
IRFS11N50APBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFS11N50APBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
417 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915445
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFS11N50APBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1423 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFS11
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFS11N50APBF
2266-IRFS11N50APBF
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
