IRFS11N50APBF
מספר מוצר של יצרן:

IRFS11N50APBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFS11N50APBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

417 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915445
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFS11N50APBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1423 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFS11

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
*IRFS11N50APBF
2266-IRFS11N50APBF
חבילה סטנדרטית
75

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SI7848BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI8402DB-T1-E1

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

vishay-siliconix

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4890DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC