מספר מוצר של יצרן:
FQAF33N10L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQAF33N10L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
מלאי:
12930526
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQAF33N10L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1630 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PF
חבילה / מארז
TO-3P-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FQAF3
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP140NPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFP140NPBF-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUFA76423D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
NTD6600N-1G
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
AOTF11N70
MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F