NTD6600N-1G

מספר מוצר של יצרן:

NTD6600N-1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTD6600N-1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12930536

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTD6600N-1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

20 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

700 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I-PAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

NTD66

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-NTD6600N-1G-ON

ONSONSNTD6600N-1G

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F

onsemi

FDD5N50FTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

onsemi

NVMFS5C604NLWFT3G

MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN

onsemi

FDD5N50NZFTM

MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK