מספר מוצר של יצרן:
FQA90N10V2
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA90N10V2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12850229
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA90N10V2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
105A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
191 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
330W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA9
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP4310ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1902
DiGi מספר חלק
IRFP4310ZPBF-DG
מחיר ליחידה
2.10
סוג משאב
Similar
מספר חלק
2SK1317-E
יצרן
Renesas Electronics Corporation
כמות זמינה
5608
DiGi מספר חלק
2SK1317-E-DG
מחיר ליחידה
3.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
