מספר מוצר של יצרן:
FQA65N06
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA65N06-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 183W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12838163
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA65N06 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
72A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
65 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2410 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
183W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA6
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2SK1317-E
יצרן
Renesas Electronics Corporation
כמות זמינה
5608
DiGi מספר חלק
2SK1317-E-DG
מחיר ליחידה
3.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMC7570S
MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
FQPF13N50CSDTU
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FDS6688
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
