מספר מוצר של יצרן:
FDT3612
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDT3612-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
מלאי:
20218 יחידות חדשות מק originales במלאי
12837941
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDT3612 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
632 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
FDT36
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDT3612TR
FDT3612CT
FDT3612DKR
2156-FDT3612-OS
FDT3612-DG
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
AUIRF4905S
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
