FQPF2N80

מספר מוצר של יצרן:

FQPF2N80

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FQPF2N80-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

תיאור מפורט:

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

מלאי:

987 יחידות חדשות מק originales במלאי

12837952

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FQPF2N80 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

800 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

15 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

550 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

35W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220F-3

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

מספר מוצר בסיסי

FQPF2

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

488-FQPF2N80

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

Not Applicable

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

FDZ7064N

MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA

onsemi

HUF76429S3ST

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK