מספר מוצר של יצרן:
FDS8935
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS8935-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12839461
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS8935 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.1A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
879pF @ 40V
הספק - מקס'
1.6W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS89
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS8935TR
FDS8935-DG
FDS8935CT
FDS8935DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EFC4618R-P-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1818
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
