מספר מוצר של יצרן:
EFC4618R-P-TR
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
EFC4618R-P-TR-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH EFCP1818
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037
מלאי:
12839469
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EFC4618R-P-TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Common Drain
תכונת FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
-
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25.4nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.6W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
4-XFBGA, FCBGA
חבילת מכשירים לספקים
EFCP1818-4CC-037
מספר מוצר בסיסי
EFC4618
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-EFC4618R-P-TR
2156-EFC4618R-P-TR-ONTR-DG
ONSONSEFC4618R-P-TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
ECH8697R-TL-W
יצרן
onsemi
כמות זמינה
7946
DiGi מספר חלק
ECH8697R-TL-W-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FW217A-TL-2WX
MOSFET N-CH 35V 8SOIC
