מספר מוצר של יצרן:
FDS5692Z
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS5692Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 50 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12931714
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS5692Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
UltraFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
50 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1025 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDS56
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS5692ZCT
FDS5692ZTR
FDS5692ZDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFW520ATM
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF731
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW644BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
