מספר מוצר של יצרן:
IRFW644BTM
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFW644BTM-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
21512 יחידות חדשות מק originales במלאי
12931726
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFW644BTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCIRFW644BTM
2156-IRFW644BTM
חבילה סטנדרטית
807
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EC4409C-TL-H
NCH 1.8V DRIVE SERIES
IRF641
N-CHANNEL POWER MOSFET
AON6250
MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
