מספר מוצר של יצרן:
FDS3512
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS3512-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12837422
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS3512 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
634 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDS35
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS3512TR
1990-FDS3512TR
FDS3512-DG
1990-FDS3512CT
2832-FDS3512TR
FDS3512CT
1990-FDS3512DKR
FDS3512DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDS3590
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1843
DiGi מספר חלק
FDS3590-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDS3512
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDS3512-DG
מחיר ליחידה
1.06
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
RS6N120BHTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1763
DiGi מספר חלק
RS6N120BHTB1-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDP15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
IRF630B_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
