מספר מוצר של יצרן:
FDR838P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDR838P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
מלאי:
12838912
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDR838P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3300 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-8
חבילה / מארז
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDR83
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDS6375
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2121
DiGi מספר חלק
FDS6375-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS86310
MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
FDB3652-F085
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
FDS3590
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC