FDS6681Z
מספר מוצר של יצרן:

FDS6681Z

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDS6681Z-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

19722 יחידות חדשות מק originales במלאי
12838916
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDS6681Z מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
260 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7540 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDS6681

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
FDS6681Z-DG
2156-FDS6681Z-OS
FDS6681ZDKR
FDS6681ZCT
FDS6681ZTR
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

AUIRFS6535

MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK

infineon-technologies

BSC340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5

onsemi

FQPF1N60

MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

onsemi

FQD7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK