מספר מוצר של יצרן:
FDP7N60NZ
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP7N60NZ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12838141
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP7N60NZ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
UniFET-II™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
730 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP7
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDP7N60NZOS
FAIFSCFDP7N60NZ
2156-FDP7N60NZ-OS
FDP7N60NZ-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP8N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
113
DiGi מספר חלק
STP8N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.97
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP7N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2571
DiGi מספר חלק
STP7N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.49
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC40LCPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1068
DiGi מספר חלק
IRFBC40LCPBF-DG
מחיר ליחידה
1.84
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP6N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
26
DiGi מספר חלק
STP6N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP10N80P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
242
DiGi מספר חלק
IXFP10N80P-DG
מחיר ליחידה
2.72
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
FDN5618P_G
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
