מספר מוצר של יצרן:
FDN5618P_G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDN5618P_G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
12838145
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDN5618P_G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.25A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
430 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
FDN561
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NVR5124PLT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NVR5124PLT1G-DG
מחיר ליחידה
0.12
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQA46N15
MOSFET N-CH 150V 50A TO3P
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
FQD5N50CTF
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
