מספר מוצר של יצרן:
FQB3P20TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB3P20TM-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 200 V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12838150
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB3P20TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
250 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB3
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF5210STRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7933
DiGi מספר חלק
IRF5210STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQD5N50CTF
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
FQPF8N60CFT
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
FDS4770
MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC